S thermocouple semi-conducteur de type

Plage de température de chauffage: degré ambiant -1100
Taux de chauffage maximum: 15 degrés / min
Taux de refroidissement maximum: 5 degrés / min
Précision de contrôle: ± 2 degrés
Uniformité temporaire: ± 0. 5 degrés / 760 mm

La fournaise de diffusion qui pourrait effectuer le processus d'oxydation est composée d'un cadre de fournaise, d'un radiateur, d'un dispositif de commande de chauffage, d'un dispositif de mesure de température, d'un tube de fournaise en quartz, d'un plateau de support push-pull, d'un chemin de gaz et d'un dispositif de traitement des gaz d'échappement. Les exigences de contrôle de la température de ce type de fours de diffusion sont les suivantes:

Gamme de température de chauffage	Degré ambiant -1100	Précision de contrôle	± 2 degrés
Taux de chauffage maximum	15 degrés / min	Uniformité temporaire	± 0. 5 degrés / 760 mm
Taux de refroidissement maximum	5 degrés / min	Stabilité	± 0. 5 degrés / 24h

Le four à diffusion d'oxydation utilise généralement des thermocouples à l'intérieur et à l'extérieur de la fournaise pour contrôler dynamique la température. Chaque zone de température est équipée d'un thermocouple à l'intérieur et à l'extérieur pour assurer la fiabilité du contrôle de la température. Le thermocouple semi-conducteur de type S (la pratique commune utilise un thermocouple multi-points qui a 3-9 différents endroits pour saisir des informations sur la température) est souvent choisi pour être le thermocouple intérieur qui est utilisé pour détecter la température de la tranche de silicium directement et pourrait se traduire pour préciser l'affichage de la température de la tranche.

Description des produits

Duchin Instrument developed types of structures for multi-point thermocouple, multi-point thermocouple calibration equipment for experiments, a type of cold-junction structure formulti-point thermocouple, a type of terminal packaging structure for multi-point thermocouple, types of composite metal protection tube of multi-point thermocouple for oxidation furnace, and other proprietary technologies to meet the requirements of diffusion furnace temperature détection. Les paramètres techniques du thermocouple semi-conducteur de type S spécialisé pour l'équipement photovoltaïque sont les suivants:

Paramètres techniques	Thermocouple interne
Taper	S,R
Diamètre de fil ou de mim	φ0.35~0.5
Température de travail (degré)	0~1100
Précision (degré)	±1.0
Longueur de tube protecteur (mm)	Moins ou égal à 4000
Diamètre de tube protecteur (mm)	φ12~18
Matériau de tube de protection	Quartz
Structure extrémiste chaude	Exposé
Nombre de points	3 ~ 6 points
Terminaison	Petit connecteur
Fil de compensation	Sc {{0}} × 0,5fpf
Caractéristiques de la structure	Assembler T / C en combinaison pour chaque point est assez difficile